K4E160412D Samsung 4M X 4Bit CMOS Dynamic RAM With Extended Data Out ; Organization = 4Mx4 ; Mode = Edo ; Voltage (V) = 5 ; Refresh = 4K / 64ms ; Speed (ns) = 50,60 ; Package = 26SOJ,24SOJ,26TSOP2,24TSOP2 ; Power = Normal,low ; Production Status = Eol (ltb Order:Aug.'03) ; Comments = TTL Документация и описания электронных компонентов

Маркировка	K4E160412D
Производитель	Samsung semiconductor (www.samsung.com)
Комментарий	4M X 4Bit CMOS Dynamic RAM With Extended Data Out ; Organization = 4Mx4 ; Mode = Edo ; Voltage (V) = 5 ; Refresh = 4K / 64ms ; Speed (ns) = 50,60 ; Package = 26SOJ,24SOJ,26TSOP2,24TSOP2 ; Power = Normal,low ; Production Status = Eol (ltb Order:Aug.'03) ; Comments = TTL
Функционал	Асинхронная DRAM (16 Мб) (Async DRAM (16 Mb))

Размер файла	Страниц: 21, 258Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом документе:

K4E160412D, K4E160412D-B

Электронный компонент «K4E160412D»